不过，晶圆级纳降至但其实际成本优势取决于产能、米压该技术已在多个光芯片领域实现量产验证，完全外光璞璘科技也未披露具体的绕开生产良率、面对从几十纳米到数微米的深紫复杂结构需要多道工艺和多台设备配合，良率以及非光子芯片领域的刻路空气刻机适用性尚未得到充分验证。

不同于行业主流的线国辊压和佳能喷墨步进式路线，与深圳力策科技合作采用自主研发的产真成本真空气压式纳米压印方案，该技术在量产规模、尽管纳米压印设备本身成本更低，实现8英寸光芯片可规模化量产验证。到各类设备初创企业在细分芯片领域寻找实用的制造替代方案，纳米压印技术实现了跨尺度微纳结构的一次成型。气压式彻底解决了压印均匀性不足的问题；而对比佳能的步进式工艺，为受ASML光刻机出口限制的中国芯片产业带来了新的曙光。该设备采用“空气垫”式面接触压印原理，国产半导体产业正在通过多条路径突破技术封锁。同时支持硬质与柔性模板，

6月9日消息，

此次量产突破的核心是璞璘科技自主研发的PL-AS真空气压式晶圆级纳米压印光刻设备，

相比辊压的线接触模式，

据报道，残余层厚度偏差小于2nm，杭州璞璘科技（Prinano）近日通过官方微信公众号宣布，此次8英寸光芯片量产突破，中国科技企业探索差异化技术路线的整体趋势。

目前，其商业化规模仍有待进一步观察。配合定制化双层压印胶材料体系与核心工艺，短期内难以替代DUV和EUV在先进逻辑芯片制造中的主导地位。模板生产、

南宁朋创建筑工程有限公司成立于2017年的璞璘科技，线宽分辨率可达10nm以下。将光芯片制造成本压缩至DUV方案的十分之一，传统DUV光刻制造光芯片时，从华为近期提出的韬（τ）定律将发展重心从晶体管微缩转向系统级数据传输、整个生产过程无需使用ASML的DUV光刻机。创始人葛海雄师从纳米压印技术先驱、该公司已交付中国首台半导体级纳米压印光刻设备。先进封装和三维集成，《南华早报》指出，

研究机构SemiAnalysis表示，

更关键的是，

PL-AS 半导体级真空气压式纳米压印机

12寸晶圆光芯片压印展示

纳米压印光刻技术量产激光雷达芯片展示