HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙

尤其是难M内I内HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，

根据这个专利，存换存墙布线复杂，个方

XBM内存已经不是向突第一次露出苗头了，现在说技术好不好还太早，难M内I内公开时间是存换存墙今年7月2日。面积效率大增，个方这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。向突

这篇专利申请没有提到XBM内存的难M内I内具体指标，而不像是存换存墙HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。但在技术研发下一直没拉下，个方希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的向突内存墙问题，功耗越来越高，难M内I内这一轮内存大涨价归因于AI需求，存换存墙XBM内存预计会比当前的个方HBM4提升一倍的带宽、2024年12月26日申请的，后端动态随机存取存储器（DRAM）。

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，

Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，

总的来说，各种技术标准都少不了Intel的推动，再通过更多的TSV通道来提升总带宽。结合里面提到的参数来推测，

7月6日消息，单论技术指标应该不占优势了。就算40年前退出了内存生产，等过几年有产品了再看。包括面积被TSV侵占，届时会有HBM5、在当前的HBM内存中Intel话语权不高，XBM不太可能直接取代HBM内存，面积效率越来越低，未来难以为继。但该技术面向的至少是2030年之后的市场，现在把它做到后端金属层中，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。

Intel是内存技术起价的，但HBM同样面临着技术限制，

最终做出来的XBM内存面积效率高，Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，HBM6，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、功耗更低，一个电容（1T1C）、